|
TFT µðÅØÅÍ Àü¹®È¸»ç¿Í CMOS µðÅØÅÍ Àü¹®¾÷ü°¡ ¸¸³ª ±¹³» ÃÖ´ëÀÇ µðÁöÅÐ ¿¢½º·¹ÀÌ ÇٽɺÎǰ ȸ»ç°¡ Ãâ¹üµÆ´Ù.
¹ÙÅØÀº ÀÚȸ»ç ·¹ÀÌ¾ð½º¿Í °ü°è»ç ÈÞ¸Õ·¹À̸¦ Áö³´Þ 30ÀÏ ÀÚ·Î ÇÕº´, ±¹³» ÃÖ´ë µðÁöÅÐ ¿¢½º·¹ÀÌ µðÅØÅÍ Àü¹®È¸»çÀÎ ·¹À̾ð½º(´ëÇ¥ÀÌ»ç ÇöÁ¤ÈÆ)¸¦ Ãâ¹ü½ÃÄ×´Ù°í 4ÀÏ ¹àÇû´Ù.
·¹À̾𽺴 TFT(Thin Film Transistor) µðÅØÅÍ Àü¹®È¸»ç·Î ¸ÞµðÄà ¿¢½º·¹ÀÌ, µ¿¹°¿ë ¿¢½º·¹ÀÌ µî¿¡¼ Ȱ¿ëµÈ´Ù. ÀÌ¹Ì °æÁÖ¿ë ¸» ¼¾¼ ½ÃÀå¿¡¼´Â ¼¼°è 1À§ÀÇ ½ÃÀåÁ¡À¯À²À» ÀÚ¶ûÇϰí ÀÖ´Ù.
ÈÞ¸Õ·¹ÀÌ´Â CMOS(Complementary Metal-oxide Semiconductor) µðÅØÅÍ Àü¹®È¸»ç´Ù. CMOS µðÅØÅÍ´Â ³ëÀÌÁî°¡ Àû°í, ÀÜ»ó ¾øÀÌ °í¼ÓÀ¸·Î ¿µ»óȹµæÀÌ °¡´ÉÇÏ¿©, Àú¼±·®À¸·Î °íÇØ»óµµÀÇ ¿µ»óÀ» ȹµæÇÏ´Â ÀåÁ¡ÀÌ ÀÖ´Ù. µ§Å»¿ë, ¸ÞµðÄÿë, »ê¾÷¿ë ¿¢½º·¹ÀÌ µî¿¡¼ »ç¿ëµÈ´Ù.
µÎ ȸ»çÀÇ ¸ÅÃâ¾×Àº 2011³â ±âÁØÀ¸·Î 638¾ï¿øÀÌ´Ù. 2012³â ¸ÅÃâ¾×Àº 820¾ïÀ» °èȹÇϰí ÀÖ¾î ±¹³» µðÅØÅÍ È¸»ç·Î´Â ÇöÀç ÃÖ´ë ±Ô¸ð´Ù. ÇÕº´¹ýÀÎÀº ¹ÙÅØÀÌ 50.3%·Î ÃÖ´ëÁÖÁÖ·Î ´Ê¾îµµ 2014³â¿¡´Â »óÀåÇÒ °èȹÀÌ´Ù.
TFT µðÅØÅÍ´Â ´ëÇüÈ¿¡, CMOS µðÅØÅÍ´Â Àú¼±·® °íÇØ»óµµ¿Í °í¼Ó µ¿¿µ»ó Àû¿ëÀÌ ¿ëÀÌÇØ ´Ù¾çÇÑ °í°´ ¿ä±¸¿¡ ¸ÂÃá ¾ÖÇø®ÄÉÀÌ¼Ç °³¹ßÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.
À̹ø ÇÕº´À¸·Î ¿¢½º·¹ÀÌ µðÅØÅÍÀÇ ¸ðµç ÇٽɺÎǰÀ» ³»ÀçÈÇØ ±â¼ú°æÀï·Â ¹× ¿ø°¡°æÀï·Âµµ È®º¸Çß´Ù. ¶Ç µðÅØÅÍÀÇ ÁÖ¿ä ¹æ½ÄÀÎ TFT ±â¹Ý°ú CMOS ±â¹ÝÀÇ µðÅØÅ͸¦ °¡Áø ȸ»ç´Â ±¹³»´Â ¹°·Ð ÇØ¿Ü¿¡¼µµ ã¾Æº¸±â ¾î·Æ´Ù.
µðÁöÅÐ ¿¢½º·¹ÀÌ µðÅØÅÍ´Â ´«¿¡ º¸ÀÌÁö ¾Ê´Â Åõ½ÃµÈ ¿¢½º·¹ÀÌ ¿µ»óÀ» µðÁöÅÐ ¿µ»óÁ¤º¸·Î ¹Ù²ã ÁÖ´Â ÀåÄ¡´Ù.
ÀÇ·á¿ë ¿¢½º·¹ÀÌ Áø´Ü±â±â°¡ ¾Æ³¯·Î±× ¹æ½Ä¿¡¼ µðÁöÅÐÈ·Î º¯ÈµÊ¿¡ µû¶ó µðÁöÅÐ ¿¢½º·¹ÀÌ ½Ã½ºÅÛ¿¡ ÀåÂøµÇ´Â ÇٽɺÎǰÀ¸·Î °Ç°°ËÁø ¹× Áø·á¿¡ °¡Àå ±âº»ÀÌ µÈ´Ù.
ÃÖ±Ù ÀÇ·á¹æ»ç¼± ÇÇÆø ¹®Á¦¿Í Çʸ§ ÀÎÈ¿¡ µû¸¥ ȯ°æ¹®Á¦·Î ¿¢½º·¹ÀÌ ±â±âÀÇ µðÁöÅÐÈ´Â ¸Å³â 15%¾¿ ¼ºÀåÇÏ´Â ºÐ¾ß´Ù.
ÇÕº´¹ýÀÎÀÎ ·¹À̾ð½ºÀÇ ÇöÁ¤ÈÆ ´ëÇ¥ÀÌ»ç´Â ¡°À̹ø ÇÕº´À¸·Î ¾ç»çÀÇ µðÅØÅÍ Á¦Á¶±â¼ú, ǰÁú°ü¸®, ¸¶ÄÉÆÃ µî Àü ºÐ¾ß¿¡ ½Ã³ÊÁö È¿°ú¸¦ ³¾ °Í¡±À̶ó¸ç ¡°µðÁöÅÐ ¿¢½º·¹ÀÌ µðÅØÅÍ¿Í °ü·ÃÇØ¼´Â ¾î¶² °í°´ÀÇ ¿ä±¸¿¡µµ ´ëÀÀÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù¡±°í ÀüÇß´Ù. |